70V3579S4DRG
Renesas Electronics America Inc
Deutsch
Artikelnummer: | 70V3579S4DRG |
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Hersteller / Marke: | IDT (Renesas Electronics Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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48+ | $151.6194 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
Spannungsversorgung | 3.15V ~ 3.45V |
Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Supplier Device-Gehäuse | 208-PQFP (28x28) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 208-BFQFP |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 1.125Mbit |
Speicherorganisation | 32K x 36 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Grundproduktnummer | 70V3579 |
Zugriffszeit | 4.2 ns |
70V3579S4DRG Einzelheiten PDF [English] | 70V3579S4DRG PDF - EN.pdf |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA
IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
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IC SRAM 576KBIT PAR 208CABGA
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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